Студопедия.Орг Главная | Случайная страница | Контакты | Заказать
 

Примеры отрицательной обратной связи в усилителях



В радиоэлектронных устройствах обычно требуется, чтобы коэффициент усиления был стабильным и точно известным, не зависел от характеристик самого ОУ и частоты входного сигнала. Существует сравнительно простой способ удовлетворить предъявляемым требованиям – введение отрицательной обратной связи (ООС).

Как видно из выражения (5.4) введение ООС в усилитель:

а) уменьшает коэффициент усиления в g раз;

b) ООС в g раз увеличивает входное сопротивление и во столько же раз уменьшает выходное сопротивление.

с) Продифференцируем соотношение (5.4):

. (5.6).

Из этого соотношения следует, что относительное изменение коэффициента усиления с ООС всегда будет в g раз меньше, чем у усилителя без нее. Таким образом, любые относительные изменения коэффициента усиления, связанные с флуктуациями температуры, нестабильностью источников питания и пр. внешними воздействиями на усилителе с ООС будут сказываться в меньшей степени.

d) Введение в усилитель ООС позволяет расширить его полосу пропускания. Если относительное уменьшение усиления от максимального значения для усилителя без ООС DKус/Kус, то при том же отклонении частоты усилителя с ООС согласно (5.6) DKo/Ko будет в g раз меньше. Таким образом, одинаковое относительное уменьшение усиления наступает при большем отклонении частоты по обе стороны от максимума, т.е. полоса пропускания усилителя расширяется.

Усилитель на биполярном транзисторе. Автоматическая ООС в цепи эмиттера.

При нормальных условиях работы транзистора, обратный ток коллектора iKБО , рассмотренный в главе 1 (см. (1.8)), обычно удваивается с повышением температуры на каждые 10о С. В результате может значительно изменяться с температурой и общий ток коллектора, что приведет к появлению нелинейных искажений выходного сигнала.

Рис. 5.6. Обратная связь в усилителе на биполярном транзисторе:

а) в цепи эмиттера, б) в цепи коллектор-база.

Для возможности удержания коллекторного тока в схеме усилителя (рис.5.6 а)) используют резистор RЭ. Механизм воздействия ООС (эмиттерной стабилизации) состоит в следующем. Увеличение тока коллектора в соответствии с общим соотношении для токов в транзисторе (1.7) вызывает соответствующие увеличение тока эмиттера. В тоже время возрастание напряжение на эмиттерном резисторе приводит к снижению потенциала база-эмиттер транзистора:


Наверх